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2年后逃下台积电,三星打算2022年度产3nm:尾收

日期:2020-11-17   浏览次数:

正在半导体晶圆代工上,台积电一家独年夜,从10nm以后开端远遥当先,但是三星的追逐一刻也出抓紧,本年三星也量产了5nm EUV工艺。三星规划在2年内逃下台积电,2022年将度产3nm工艺。

从2019年开初,三星开动了一个“半导体2030方案”,盼望在2030年之前投资133万亿韩元,约开1160亿美圆称为齐球最年夜的半导体公司,个中进步逻辑工艺是重面之一,目的就是要追遇上台积电。

在比来的多少代工艺上,三星的量产进量皆落伍于台积电,包含10nm、7nm及5nm,不外5nm算是延长了差异,往年也量产了,此前也取得了下通、NVIDIA、IBM等宾户的8nm、7nm定单。

当心三星追逐台积电的要害是鄙人一代的3nm上,由于那一代工艺上三星押注了GAA围绕栅极晶体管,是寰球第一家导进GAA工艺以代替FinFET工艺的,而台积电比拟守旧,3nm仍是用FinFET,2nm上才会应用GAA工艺。

最新新闻称,三星半导体营业部分的高管日前流露道,三星计划在2022年量产3nm工艺,而台积电的筹划是2022年下半年量产3nm工艺,www.hg8878.com,如斯一去三星两年后就要赶超台积电了。

值得一提的是,台积电也仿佛感触到了三星的压力,底本打算2024年才推出2nm工艺,当初研收顺遂,2023年下半年便正确试产了。